Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
Інший ID:
PACS: 78.55. - m; 78.55. Et
Посилання:
Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition / K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, O.N. Strilchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 121-128. — Бібліогр.: 34 назв. — англ.
Дата:
2003
Переглядів:
668
Завантажень:
514
Анотація:
Physical fundamentals are analyzed for the method of determination of Cd₁₋xZnxTe composition x from measurements of the luminescence band peak position, emission being caused by annihilation of bound exciton - shallow neutral acceptor complexes at 4.2 K. Found are the conditions when application of the method discussed enables to obtain reliable x values.
