Перегляд за автором "Стороженко, И.П."

Результати 1-15 з 15

GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом

Стороженко, И.П.; Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В. (Радиофизика и радиоастрономия, 2006)

На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с ...
Варизонный AlGaInAs-диод Ганна

Стороженко, И.П.; Кайдаш, М.В. (Радіофізика та електроніка, 2016)

Диоды Ганна – активные элементы для генерации электромагнитных волн в миллиметровом диапазоне. Повышение их выходной мощности и предельной частоты генерации является актуальной задачей. Один из способов увеличения указанных ...
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна

Аркуша, Ю.В.; Прохоров, Э.Д.; Стороженко, И.П. (Радиофизика и радиоастрономия, 2004)

Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных ...
Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области

Аркуша, Ю.В.; Прохоров, Э.Д.; Стороженко, И.П. (Радиофизика и радиоастрономия, 2002)

Представлены результаты теоретического исследования работы субмикронных диодов Ганна с активной областью без ионизированных примесей и с модуляцией проводимости в ней. Показано, что модуляция проводимости и отсутствие ...
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами

Стороженко, И.П. (Радиофизика и радиоастрономия, 2006)

С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной ...
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN

Стороженко, И.П.; Ярошенко, А.Н.; Аркуша, Ю.В. (Радіофізика та електроніка, 2014)

В статье представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03…0,7 ТГц с помощью n+–n–n+-диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых соединений InBN и GaBN при ...
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs

Стороженко, И.П.; Животов, Е.Н. (Радіофізика та електроніка, 2011)

Изучено исчезновение дрейфующего домена в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в n⁺-n-n⁺-приборах на основе варизонных полупроводников ...
Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)

Стороженко, И.П. (2007)

Исследовано возникновение и дрейф волн объёмного заряда в диоде Ганна на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z) с n+-n катодом. Показано, что в варизонных диодах Ганна существуют эффекты, которых нет в диодах на основе ...
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN

Стороженко, И.П.; Аркуша, Ю.В. (Радіофізика та електроніка, 2011)

Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны ...
Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна

Боцула, О.В.; Прохоров, Э.Д.; Стороженко, И.П. (2007)

Рассматривается диод Ганна с резонансно-туннельным катодом с одним энергетическим уровнем в квантовой яме. Использование такого катода приводит к тому, что вольтамперные характеристики диода имеют два участка отрицательной ...
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов

Стороженко, И.П. (Радіофізика та електроніка, 2012)

Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего ...
Роль рассеяния электронов на нейтральных примесях и сплавном потенциале в формировании волн пространственного заряда в приборах с междолинным переносом электронов

Стороженко, И.П. (2008)

Исследована роль рассеяния электронов на неравномерно распределённых нейтральных примесях и сплавном потенциале. Показано, что возрастающая зависимость низкополевой подвижности от координаты в n+-n-n+ приборах с междолинным ...
Статический домен в приборе с междолинным переносом электронов на основе варизонного AlGaAs

Стороженко, И.П. (Радіофізика та електроніка, 2015)

В статье проводится анализ процесса формирования статического домена и лавинного умножения тока в нем на основе двухтемпературной модели варизонного AlGaAs.
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами

Стороженко, И.П.; Аркуша, Ю.В.; Прохоров, Э.Д. (2007)

С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов (МПЭ) в полупроводниках исследована работа GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показаны основные закономерности и особенности работы приборов ...
Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте

Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Клименко, О.А.; Стороженко, И.П. (Радіофізика та електроніка, 2012)

Исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами (РТГ) в структурах типа «сэндвич» на основе GaAs. Рассмотрены одно- и двухуровневые модели РТГ. Оценен частотный ...

Результати 1-15 з 15

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Стороженко, И.П."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Стороженко, И.П."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис