Роль рассеяния электронов на нейтральных примесях и сплавном потенциале в формировании волн пространственного заряда в приборах с междолинным переносом электронов

Abstract

Исследована роль рассеяния электронов на неравномерно распределённых нейтральных примесях и сплавном потенциале. Показано, что возрастающая зависимость низкополевой подвижности от координаты в n+-n-n+ приборах с междолинным переносом электронов может приводить к возникновению и дрейфу дипольных доменов. Причиной этого могут служить стационарные компоненты скорости релаксации импульса, такие как убывающие функции координаты концентрации нейтральной примеси, сплавного потенциала и процентного содержания бинарной компоненты в тройных и четверных полупроводниках. При оптимальном распределении нейтральной примеси в активной области эффективность генерации колебаний тока возрастает, а их оптимальная рабочая частота падает.

Досліджена роль розсіювання електронів на нерів-номірному розподілі нейтральних домішок та сплавному потенциалі. Показано, що зростаюча залежність низькополевої рухливості від координати в n+-n-n+ приладах з міждолинним переносом електронів може призвести до виникнення і дрейфу дипольних доменів. Причиною можуть служити стаціонарні компоненти швидкості релаксації імпульсу такі як функції, що спадають від координати концентрації нейтральної домішки, сплавного потенціалу і змісту бінарної компоненти в потрійних і почетверених сполуках. При оптимальному роз-поділі нейтральних домішок в активній області ефективність генерації коливань струму зростає, а їх оптимальна робоча частота падає.

Role of electron scattering by nonuniform distribution of neutral impurity and alloy potential has been studied. It has been shown that increasing coordinate dependence of low-filed mobility in n+-n-n+ intervalley transferred electron devices can result to appearance and drift of dipole domains. Cause of these is stationary componentry of relaxation velocity such as decreasing of coordinate functions of neutral impurity concentration, alloy potential and binary components contents in ternary and quaternary semiconductors. Current oscillation efficiency increase and optimal work frequency decrease at optimum distribution of neu-tral impurity in active zone.