Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна

Abstract

Рассматривается диод Ганна с резонансно-туннельным катодом с одним энергетическим уровнем в квантовой яме. Использование такого катода приводит к тому, что вольтамперные характеристики диода имеют два участка отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП), на каждом из которых возможно получение генерации. Для этих участков определены эффективности генерации и рассмотрены особенности работы диода и проанализированы факторы, влияющие на процесс генерации.

Розглядається діод Ганна з резонансно-тунельним катодом з одним енергетичним рівнем у квантовій ямі. Використання такого катоду призводить до того, що вольтамперні характеристики діода мають дві ділянки негативної диференціальної провідності(НДП), на кожній з яких можливо отримати генерацію. Для кожної з цих ділянок визначені ефективності генерації та проаналізовані особливості роботи діода та фактори, що впливають на генерацію.

A Gunn diode with resonance tunnelling cathode have being conceded. The current-voltage characteristics diode have two region of negative difference conductivity that can be used for high frequency oscillation. The oscillation efficiencies for both region have being determined. The particulars of diode operation has been considered. The factors to be influence on oscillations has been analysed.