Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Радиофизика и радиоастрономия
→
Радиофизика и радиоастрономия, 2004 (том 9)
→
Радиофизика и радиоастрономия, 2004, № 3
→
Переглянути статтю

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна

Аркуша, Ю.В. ; Прохоров, Э.Д. ; Стороженко, И.П.

Інші назви: Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation

Тема: Физические основы электронных приборов

УДК: 621.382.2

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122553

Посилання: Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Дата: 2004

Завантажень: 267

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна

Анотація:

Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при которых эффективность генерации максимальна.

The frequency dependence of the generation efficiency of an m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs TED with the 2.5-mm long active region is calculated. The optimum values – which yield the diode maximum generation efficiency – for the n:InxGa1-xAs cathode length, the cathode concentration of ionized impurities, and the height of the potential barrier on metal contact are determined.

Показати повний запис статті