Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте

Abstract

Исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами (РТГ) в структурах типа «сэндвич» на основе GaAs. Рассмотрены одно- и двухуровневые модели РТГ. Оценен частотный предел работы диодов с РТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с РТГ в диапазоне несколько десятков гигагерц.

Досліджено вольтамперні характеристики та ефективність генерації діодів з резонансно-тунельними межами (РТМ) в структурах типу «сандвич» на основі GaAs. Розглянуто одно- і дворівневі моделі РТМ. Оцінено частотну межу роботи діодів з РТМ. Показано можливість генерації гармонік і множення частоти на діодах з РТМ у діапазоні кілька десятків гігагерц.

We study the current-voltage characteristics and the efficiency of generation diodes with resonant-tunnel boundaries in the structures of the «sandwich» type based on GaAs. We consider single-level and two-level model of the resonant-tunnel border. Frequency limit of the diode with resonant-tunnel border was estimated. A possibility of harmonic generation and frequency multiplication of the diodes with resonant tunnel border in the range of tens to hundreds of GHz was shown.