Исследовано возникновение и дрейф волн объёмного заряда в диоде Ганна на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z) с n+-n
катодом. Показано, что в варизонных диодах Ганна существуют эффекты, которых нет в диодах на основе пространственно-однородных по составу полупроводников. Сделано обобщение тройных варизонных полупроводников А3В5.
Досліджено виникнення та дрейф хвиль об’ємного
заряду в діоді Ганна на основі варізонного GaPx(z)As1-x(z). з n+-n
катодом. Показано, що у варізонних діодах існують ефекти,
яких нема у діодах Ганна на основі просторово-однорідних за
складом напівпровідників. Зроблено узагальнення потрійних
варізонних напівпровідників А3В5.
Singularities formation and drift of volume charge wave in based
variband GaPx(z)As1-x(z) Gunn diodes with n+-n cathode has been
studied. These diodes are shown exist of phenomena’s which not
in employing spatially efficiency homogeneous semiconductors.
To made extension of А3В5 variband threefold semiconductors.