Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии 
    Круковский, С.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование ...
  • Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники 
    Ажажа, В.М.; Ковтун, Г.П.; Неклюдов, И.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr ...
  • Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС 
    Вербицкий, В.Г.; Золотаревский, В.И.; Николаенко, Ю.Е.; Самотовка, Л.И.; Товмач, Е.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрены некоторые особенности проектирования в части обеспечения правильного функционирования высоковольтных КМОП БИС аналогового ключа с управлением и коммутаторов путем защиты электрической схемы, выполняющей заданное ...
  • Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах 
    Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Стовповой, М.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм ...
  • Контролепригодные двухканальные логические схемы цифровых компараторов 
    Тимошкин, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассматриваются контролепригодные двухканальные логические схемы цифровых компараторов, предназначенные для реализации в виде печатных узлов. Рассматриваемые контролепригодные логические схемы обладают свойством самопроверяемости ...
  • Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА 
    Николаенко, Ю.Е.; Рассамакин, Б.М.; Хайрнасов, С.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Приведены результаты экспериментального исследования рабочих характеристик контурных тепловых труб (КТТ) с ацетоном и аммиаком. Корпус КТТ изготавливался из нержавеющей стали и алюминия. Испарительная камера выполнялась ...
  • Корреляционная пассивная звуковая локация 
    Тарасов, В.А.; Кропачев, Д.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Разработаны алгоритмы корреляционной пассивной локации звуковых источников. Разработанные алгоритмы стали основой для практической реализации системы пассивной звуковой локации. Проведенные натурные испытания системы ...
  • Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем 
    Искендер-заде, З.А.; Касимов, Ф.Д.; Исмайлова, С.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в ...
  • Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС 
    Балицкая, В.А.; Вакив, Н.М.; Шпотюк, О.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Обсуждаются экспериментальные реузльтаты низкотемпературной деградации терморезисторов с отрицательным ТКС на основе манганитов переходных металлов (Cu, Ni, Co, Mn)₃O₄. Впервые установлено, что, независимо от химического ...
  • Методика автоматизированного проектирования технологических процессов 
    Невлюдов, И.Ш.; Палагин, В.А.; Макаренко, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Разработана методика принятия решений в условиях неопределенности с применением байесовой теории решений для выбора варианта технологического процесса с минимальной стоимостью. Описан пример использования компьютерной ...
  • Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников 
    Докторович, И.В.; Бутенко, В.К.; Годованюк, В.Н.; Юрьев, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Одной из важных характеристик фотоприемников, которые используются как первичные измерительные преобразователи, является их энергетическая характеристика или динамический диапазон. В работе рассмотрена методика измерения ...
  • Методика проектирования элементов прецизионного датчика давления с пневмомеханическим резонатором 
    Черняк, Н.Г.; Бондаренко, А.Н.; Петровский, С.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрены особенности проектирования первичного и вторичного преобразовательных элементов датчика давления для бортового оборудования ЛА и контрольно-проверочной аппаратуры. Предлагаемый датчик отличается простотой ...
  • Методика разработки и характеристики автогенератора класса Е 
    Крыжановский, В.Г.; Рудякова, А.Н.; Чернов, Д.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассчитан и экспериментально исследован автогенератор с выходной мощностью 1 Вт и КПД 86% на частоте 800 кГц. Особенностью автогенератора является низкое напряжение питания и слабая зависимость частоты генерации от напряжения ...
  • Методы уменьшения температурной погрешности датчиков давления 
    Васильев, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Проведен анализ температурных погрешностей датчиков давления, выявлена физическая природа их возникновения. Выработаны рекомендации по конструированию датчиков давления с уменьшенной температурной погрешностью. Классифицированы ...
  • Микрочиповые лазеры 
    Матковский, А.О.; Сыворотка, И.М.; Убизский, С.Б.; Мельник, С.C.; Вакив, Н.М.; Ижнин, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового ...
  • Многокристальные модули на анодированной алюминиевой подложке 
    Сокол, В.А.; Воробьева, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Представлены результаты исследований процесса локального формирования пористого анодного оксида алюминия и его сплавов. Разработан технологический процесс формирования защитной маски, устойчивой при толстослойном ...
  • Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс” 
    Савицкий, Г.В.; Бончик, А.Ю.; Ижнин, И.И.; Кияк, С.Г.; Могиляк, И.А.; Тростинский, И.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Проведена модернизация промышленной установки фотонного отжига полупроводниковых пластин "Оникс" для обеспечения повторяемости и воспроизводимости температурно-временных циклов отжига малой длительности при высоких скоростях ...
  • Оборудование для зондовой диагностики и контроля плазменных технологических процессов 
    Дудин, С.В.; Яцков, А.П.; Фареник, В.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Проведен обзор методов и устройств зондового контроля плазменных технологических процессов. Описана серия приборов «Контроль», использующих специально разработанные схемы компенсации и обработки зондового сигнала, а также ...
  • Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления 
    Адарчин, С.А.; Кужненков, А.С.; Кожитов, Л.В.; Косушкин, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Установлен механизм деградации и возникновения отказов микроэлектромеханических структур датчиков давления. Предложена математическая модель изменения величины температурного гистерезиса выходного сигнала датчиков, установлена ...
  • Однокристальная микро-ЭВМ для систем с высокоразвитыми локальными сетями 
    Вербицкий, В.Г.; Липовецкий, Г.П.; Проценко, Л.В.; Сивобород, П.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрены функциональные возможности, основные электрические параметры, а также принципы функционирования однокристальной микро-ЭВМ УМ5704ВЕ44, реализующей протокол высокого уровня управления каналом передачи данных ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис