Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Акустооптическое управление потоком данных оптических запоминающих устройств с побитовым представлением информации 
    Данилов, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Предложены физические основы проектирования и метод проектирования акустооптических затворов как устройств управления потоком данных при записи-считывании информации в системах оптической памяти с побитовым представлением ...
  • Анизотропный термоэлектрический компаратор 
    Ащеулов, А.А.; Гуцул, И.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрена возможность создания приборов на основе использования поперечной термоЭДС, которая реализуется в анизотропных термоэлементах. Приведено описание конструкции и параметры термопреобразователя на основе анизотропных ...
  • Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе 
    Касимов, Ф.Д.; Лютфалибекова, А.Э. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных ...
  • Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия 
    Завадский, В.А.; Ленков, С.В.; Лукомский, Д.В.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в ...
  • Влияние теплопереходов на температурный перепад многокаскадной термо­электрической батареи 
    Николаенко, Ю.Е.; Вихор, Л.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Предлагается численный метод расчета характеристик каскадного термоэлектрического охладителя (ТЭО), на основе которого исследуется влияние распределения температуры в межкаскадных теплопереходах из различных материалов на ...
  • Генераторы с электромеханическими преобразователями на аналогах негатронов 
    Негоденко, О.Н.; Воронин, В.А.; Заруба, Д.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Определены условия, при которых генераторы с электромеханическими преобразователями на аналогах негатронов не чувствительны к изменению механической нагрузки на преобразователь. Показано, что генераторы с пьезопреобразователями ...
  • Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi 
    Вакив, Н.М.; Круковский, С.И.; Завербный, И.Р.; Мрыхин, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, ...
  • Диодные реакторные системы микротравления 
    Фареник, В.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Выполнены разработки малоэнергоемкого плазменного технологического оборудования на основе разрядов с комбинированными постоянным и переменным электрическим и магнитным полями. В настоящей работе приведены результаты ...
  • Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников 
    Васильев, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Комплекс позволяет исследовать оптические свойства полупроводниковых материалов, в частности, ширину запрещенной зоны, энергию ионизации примесей. В его основу положен метод оптоемкостной спектроскопии. Метод является ...
  • Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов 
    Шпотюк, О.И.; Гадзаман, И.В.; Охримович, Р.В.; Вакив, Н.М.; Осечкин, С.И.; Цмоць, В.М.; Брунец, И.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    На примере Coобогащенного состава Cu₀,₁Ni₀,₁Mn₁,₂Co₁,₆O₄ показана возможность использования полупроводниковой шпинельной керамики системы NiMn₂O₄-CuMn₂O₄-MnCo₂O₄ для получения высокостабильных толстопленочных терморезисторов ...
  • Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления 
    Марончук, И.Е.; Кучерук, А.Д.; Ерохин, С.Ю.; Чорный, И.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик ...
  • Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" 
    Косяченко, Л.А.; Марков, А.В.; Остапов, С.Э.; Раренко, И.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной ...
  • Исследование методов построения вычислительных устройств на основе FPGA 
    Жабин, В.И.; Ковалев, Н.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассматриваются методы построения вычислительных устройств (ВУ) на базе FPGA с использованием параллельных и квазипараллельных операционных блоков. Исследуются характеристики их ресурсоемкости, максимального быстродействия ...
  • Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии 
    Круковский, С.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование ...
  • Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники 
    Ажажа, В.М.; Ковтун, Г.П.; Неклюдов, И.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr ...
  • Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС 
    Вербицкий, В.Г.; Золотаревский, В.И.; Николаенко, Ю.Е.; Самотовка, Л.И.; Товмач, Е.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрены некоторые особенности проектирования в части обеспечения правильного функционирования высоковольтных КМОП БИС аналогового ключа с управлением и коммутаторов путем защиты электрической схемы, выполняющей заданное ...
  • Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах 
    Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Стовповой, М.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм ...
  • Контролепригодные двухканальные логические схемы цифровых компараторов 
    Тимошкин, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассматриваются контролепригодные двухканальные логические схемы цифровых компараторов, предназначенные для реализации в виде печатных узлов. Рассматриваемые контролепригодные логические схемы обладают свойством самопроверяемости ...
  • Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА 
    Николаенко, Ю.Е.; Рассамакин, Б.М.; Хайрнасов, С.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Приведены результаты экспериментального исследования рабочих характеристик контурных тепловых труб (КТТ) с ацетоном и аммиаком. Корпус КТТ изготавливался из нержавеющей стали и алюминия. Испарительная камера выполнялась ...
  • Корреляционная пассивная звуковая локация 
    Тарасов, В.А.; Кропачев, Д.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Разработаны алгоритмы корреляционной пассивной локации звуковых источников. Разработанные алгоритмы стали основой для практической реализации системы пассивной звуковой локации. Проведенные натурные испытания системы ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис