Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии

Abstract

Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет получать эпитаксиальные слои GaAs и InGaAs с подвижностью 50000 и 116000 см²/В·с, соответственно. Анализируются возможные механизмы влияния Yb и Al на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs.

Influence of Yb and Al rare earth and isovalent impurities on the electrophisical parametrs of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown from gallium and indium solution-melts by LPE method is investigated. It was shown that double doping of the gallium and indium solution-melts by 0—0,044 at.% ytterbium and by 0,015 and 0,026 at.% aluminium allows obtaining GaAs epitaxial layers with velosity to 50000 cm²/V·s and InGaAs layers with velosity to 116000 cm²/V·s. The possible mehanisms of investigated impurity influence on electrophysical parametrs of GaAs epitaxial layers are anlysed.