Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Особенности разработки датчиков давления на ПАВ для АЭС 
    Лепих, Я.И.; Лопушенко, В.К.; Черняк, Н.Г.; Николаенко, Ю.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрены особенности проектирование датчиков давления с первичным преобразователем на поверхностных акустических волнах для АЭС. Описаны структурная схема и конструкция датчика. Проводится анализ функциональной схемы ...
  • Особенности разработки цифровых волоконно-оптических модулей 
    Мержвинский, А.А.; Осинский, В.И.; Палагин, А.В.; Вербицкий, В.Г.; Воронько, А.А.; Мержвинский, П.А.; Белаш, П.В.; Сибрин, Ю.И.; Остапчук, С.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Приведены обобщенная схема цифрового канала, выделены базовые компоненты модулей, рассмотрены механизмы возникновения ошибок и методы их снижения, определены функции компонентов, контролируемые параметры, цели проектирования ...
  • Охлаждение перспективных накопителей на жестких магнитных дисках с применением тепловых труб 
    Николаенко, Ю.Е.; Кравец, В.Ю.; Стрюченко, В.А.; Белоконенко, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Приведена новая конструкция безвентиляторной системы охлаждения накопителя на жестком магнитном диске (НЖМД), размещенном внутри электронно-вычислительного устройства (ЭВУ). Теплота от НЖМД с помощью тепловых труб отводится ...
  • Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС 
    Новосядлый, С.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность ...
  • Планарные взаимоиндуктивные сенсоры для датчиков положения и приближения 
    Негоденко, О.Н.; Черевко, С.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Предварительная разбалансировка индуктивного балансного сенсора путем сближения катушек относительно положения баланса приводит к уменьшению выходного напряжения по мере приближения к сенсору проводящей пластины. При этом ...
  • Получение структуры цифрового фильтра из описания в пространстве состояний 
    Ситников, В.С.; Ступень, П.В.; Бадерко, И.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрен процесс преобразования структуры цифрового фильтра на основании представления в пространстве состояний. Выделена проблема - устранение двузначности в системе уравнений. Преобразования выполнены на примере ...
  • Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии 
    Николаенко, Ю.Е.; Круковский, С.И.; Завербный, И.Р.; Рыбак, О.В.; Мрыхин, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей ...
  • Приборное обеспечение моделирования работы сложных радиоэлектронных устройств 
    Емельянов, В.А.; Пономарь, В.Н.; Солонинко, А.А.; Чигирь, Г.Г.; Лисенков, Б.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Показана возможность эффективного моделирования сложных устройств для различных отраслей радиоэлектронной промышленности с использованием импортного и отечественного (Минский научно-исследовательский приборостроительный ...
  • Производство оптоволоконных материалов и полупроводниковых соединений на Украине 
    Трубицын, Ю.В.; Левинзон, Д.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Дан сопоставительный анализ современного состояния технологии производства и рынка потребления оптоволоконных материалов на основе кварцевого стекла (тетрахлорида кремния, тетрахлорида германия, кремния металлургического ...
  • Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок 
    Стерхова, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Проанализированы сходства и различия размерно-геометрических параметров моделей микроструктуры серебро-палладиевых толстопленочных резисторов (ТПР). Впервые по структурной модели металлических кластеров и кластерной модели ...
  • Расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах 
    Касимов, Ф.Д.; Лютфалибекова, А.Э. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Проведен математический расчет упругих механических напряжений в двухслойных структурах с отличающимися упругими постоянными пленки и подложки. Выведена формула, показывающая, что возникающие в пленке механические напряжения ...
  • Регенерируемый цитратный раствор химического никелирования 
    Тарозайте, Р.; Гилене, О. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Предложен слабокислый цитратный раствор химического никелирования, содержащий ускоряющую и стабилизирующую добавки, отличающийся достаточно высокой скоростью осаждения покрытий, содержащих до 11 мас.% фосфора. Отработанный ...
  • Силовая микросхема для блоков управления газоразрядными источниками света 
    Гаврилюк, Г.И.; Севастьянов, В.В.; Бондарчук, Л.М.; Чечель, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Предложена схема управления высоковольтными инверторами, в которой устранен эффект «защелкивания» выходных транзисторов драйвера. Описана разработанная силовая микросхема управления высоковольтными инверторами в виде ...
  • Система текущего контроля токсичности выхлопа двигателей транспортных средств 
    Скубилин, М.Д.; Спиридонов, О.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Существующие подходы к экологической диагностике двигателей транспортных средств не исключают субъективизма в получаемых результатах, предполагают ее периодичность (в лучшем случае 1-2 раза в год) и не учитывают реальных, ...
  • Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением 
    Курмашев, Ш.Д.; Викулин, И.М.; Ленков, С.В.; Сидорец, Р.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных ...
  • Статистическая оценка трудозатрат изготовления коммутационных плат радиоэлектронных средств 
    Ефименко, А.А.; Голубев, А.В.; Кондрашов, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Проанализированы основные факторы, влияющие на трудоемкость производства коммутационных плат. Приводятся полученные статистические зависимости трудоемкости изготовления коммутационных плат, которые могут найти применение ...
  • Степенная связь параметров композиционного материала и его компонентов 
    Дмитриев, М.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Установлена степенная зависимость диэлектрических свойств композита от параметров компонентов, подтвержденная экспериментами на стеклокерамических материалах и логарифмическим законом смешивания компонентов. Показано, что ...
  • Технологические средства изготовления микрополосковых линий для ГИС КВЧ-диапазона 
    Кренделев, А.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Показано, что основные задачи реализации пленочных ГИС сверхвысоких и крайне высоких частот состоят в выборе материала подложки, методов точного формирования проводников, методов и режимов осаждения металлов с высокой ...
  • Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей 
    Курак, В.В.; Цыбуленко, В.В.; Агбомассу, В.Л. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Предложена новая технология создания кремниевых торцевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) методом ЗПГТ, в котором градиент температуры создается световым нагревом на установке "Уран". КПД ФЭП, изготовленных данным ...
  • Технология изготовления лазерных красителей для диапазона 472-600 нм 
    Кругленко, В.П.; Марончук, И.Е.; Повстяной, М.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Предложена рецептура и технология изготовления новых лазерных красителей класса имитринов, эффективно работающих в желто-зеленом спектральном диапазоне при лазерном возбуждении. Приводятся экспериментальные данные о наиболее ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис