Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии

Abstract

Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур является наличие в их составе лавинного диода, соединяющего узкозонный и широкозонный р—n-переходы. Исследуются электрофизические характеристики слоев AlGaAs, легированных Mg и Bi. При-ведены результаты исследований тандемной гетероструктуры с использованием растровой электронной микроскопии.

The technological features of reception multi-layers heterostructures in systems GaAs-InGaAs-AlGaAs with three р—n by transitions, method LPE are considered. Heterostructures are intended for manufacturing highly effective photoconverters of a solar energy of space basing. Feature heterostructures are the presence in their structure avalanche of the diode connecting narrow-gap and wide-gap р—n by transitions. The electrophysical characteristics of layers AlGaAs alloyed Mg and Bi were investigated. The results of researches tandem heterostructure with use scanning electron microscopy are given.