Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 3
→
Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 3 за назвою

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 3 за назвою

Результати 1-20 з 21

Наступна сторінка

Активное термостатирование полупроводниковых СВЧ-генераторов

Кравченко, А.В.; Плаксин, С.В.; Соколовский, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Представлена реверсивная схема непрерывного терморегулирования волноводных генераторов на диодах Ганна на базе термоэлектрических микроохладителей на эффекте Пельтье.
Акустоэлектронные сенсоры газа со слоистыми структурами

Лепих, Я.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Приведены результаты разработки и исследований слоистых акустоэлектронных сенсоров газа с адсорбционными пленками Ленгмюра—Блоджетт на поверхности звукопровода.
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля

Мокрицкий, В.А.; Маслов, О.В.; Николаенко, Ю.Е.; Максимов, М.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Пропорциональный импульсный режим работы CdZnTe-детектора позволяет существенно повысить качество измерений, компенсировать энергетическую зависимость чувствительности.
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

Бончик, А.Ю.; Ижнин, И.И.; Кияк, С.Г.; Савицкий, Г.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения

Кутний, В.Е.; Кутний, Д.В.; Рыбка, А.В.; Абызов, А.С.; Давыдов, Л.Н.; Наконечный, Д.В.; Шляхов, И.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Рассмотрено влияние термообработки (ТО) на вольт-амперные и спектрометрические характеристики детекторов γ-излучения из соединения Cd₀,₉Zn₀,₁Te p-типа. Определен оптимальный режим ТО.
В портфеле редакции

Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
Выставки. Конференции

Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
Двухспектральный фотоприемник

Добровольский, Ю.Г.; Комаров, Е.В.; Биксей, М.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Приведены результаты разработки двухспектрального фотоприемника, в котором фотодиоды расположены один над другим. Фотоприемник отличается повышенной чувствительностью верхнего фотодиода.
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики

Балицкая, В.А.; Брунец, И.М.; Вакив, Н.М.; Клым, Г.И.; Шпотюк, О.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения

Нинидзе, Г.К.; Павлюк, С.П.; Ищук, Л.В.; Кушниренко, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Предложено использование транзистора, изготовленного по технологии "кремний-на-изоляторе", в качестве генератора релаксационных и квазигармонических колебаний регулируемой частоты и амплитуды.
Исследование термоупругих свойств ветвей термоэлектрических модулей Пельтье

Ащеулов, А.А.; Маник, О.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Для повышения механической прочности ТЭМ необходима тщательная ориентация образцов, учет угловых зависимостей модуля Юнга и температурного коэффициента расширения.
Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники

Шварц, Ю.М.; Шварц, М.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Физически обоснованы и реализованы кремниевые диодные сенсоры температуры с оптимизированными характеристиками. Сенсоры применены в ракетно-космической технике и атомной энергетике.
Новые книги

Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике

Ющук, С.И.; Юрьев, С.А.; Костюк, П.С.; Бондар, В.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

На основе выращенных пленок железоиттриевого граната разработаны СВЧ полосно-пропускающие фильтры, линии задержки для использования в СВЧ-электронике.
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов

Яцуненко, А.Г.; Ковтонюк, В.М.; Иванов, В.Н.; Николаенко, Ю.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

На основе специально разработанного слаботочного диода Ганна, работающего в диапазонах длин волн 42—53 ГГц и 56—65 ГГц, усовершенствованы аппараты КВЧ-терапии.
Схемное решение построения матричного регистра

Куценко, Г.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Экономичный матричный регистр сочетает в себе регистр приема последовательного кода и счетчик времени и может быть рекомендован для реализации в виде микросхемы.
Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки

Филинюк, Н.А.; Куземко, А.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Разработаны схемы активных СВЧ-фильтров, пригодных для исполнения в виде гибридной или полупроводниковой микросхемы.
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании

Ковтун, Г.П.; Кравченко, А.И.; Кондрик, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Установлено существование оптимального значения теплопроводности, при котором достигается наиболее равномерное распределение модуля температурного градиента на фронте кристаллизации.
Титульные страницы и содержание

Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs

Вакив, Н.М.; Завербный, И.Р.; Заячук, Д.М.; Круковский, С.И.; Мрыхин, И.О. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Описана разработанная установка и методика электрохимического профилирования многослойных эпитаксиальных структур n-GaAs.

Результати 1-20 з 21

Наступна сторінка

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека
Колекція

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 3 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 3 за назвою

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Колекція

Мій обліковий запис