Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

Бончик, А.Ю. ; Ижнин, И.И. ; Кияк, С.Г. ; Савицкий, Г.В.

Інші назви: Вплив режимів іонного легування та фотонного відпалу на параметри імплантованих шарів n-GaAs:Si
Influence of ion doping and photon annealing modes on properties of n-GaAs:Si implanted layers

Тема: Материалы для микроэлектроники

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53563

Посилання: Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Дата: 2005

Завантажень: 690

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

Анотація:

Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).

Показати повний запис статті