Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
Інші назви:
Температурне поле у кристалі ітрій-алюміієвого гранату при двостадійному вирощуванні
Temperature field in Y₃Al₅O₁₂:Nd garnet crystal at two-phase growth
Temperature field in Y₃Al₅O₁₂:Nd garnet crystal at two-phase growth
Тема:
Материалы для микроэлектроники
Посилання:
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 5-7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
Дата:
2005
Переглядів:
792
Завантажень:
597
Анотація:
Установлено существование оптимального значения теплопроводности, при котором достигается наиболее равномерное распределение модуля температурного градиента на фронте кристаллизации.
