Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, том 9
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
Інший ID:
PACS 61.72Bb, 61.72.Jj, 61.72.Yx
Посилання:
Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals / V.I. Talanin, I.E. Talanin, S.A. Koryagin, M.Yu. Semikina // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 77-81. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.
Підтримка:
This scientific work was made by the budgetary funds of
Ministry of Education and Science of Ukraine as the
grant of the President of Ukraine.
Дата:
2006
Переглядів:
736
Завантажень:
394
Анотація:
An alternative mathematical model of vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals was represented. The analysis of conditions of microvoid nucleation inside the bulk of crystals during cooling after their growth was carried out. The possibility of formation of a quasi-stationary microvoid profile in large-scale crystals within the temperature range 1130…1070 °С has been shown.
