Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
Інший ID:
PACS: 84.40.-x
Посилання:
Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures / S.K. Abdizhaliev, K.A. Ismailov, A.B. Kamalov, Ya.Ya. Kudrik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 202-204. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
Дата:
2003
Переглядів:
848
Завантажень:
496
Анотація:
We studied I-V curves of Au-TiBx-n-n⁺-GaAs and Au-TiBx-n-SiC 6Н surface-barrier structures. The structures were exposed to microwave treatments (frequency of 2.45 GHZ, irradiance of 1.5 W/cm², duration of 0-500 s). For these structures we measured how the Schottky barrier height and ideality factor depended on microwave treatment duration. It was shown that microwave treatments whose duration are up to 20 s do not impair the main structure parameters, while those with duration of 0.5-10 s may even improve these parameters.
