Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, том 2
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes
Інший ID:
PACS 73.61, 85.30.M
Посилання:
Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes/ A.A. Belyaev, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, S.A. Vitusevich, V.V. Milenin, E.A. Soloviev, L.N. Kravchenko, T. Figielski, T. Wosinski, A. Makosa// Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 98-101. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.
Підтримка:
This work was supported by STCU under Grant No.464.
Дата:
1999
Переглядів:
898
Завантажень:
400
Анотація:
The total dose effects of ⁶⁰Co γ-radiation on the electrical properties of double-barrier Resonant Tunneling Diodes have been studied. The devices manifest enhanced radiation hardness and conserve their operating parameters up to doses of 2×10⁹ rad. It is shown that all changes in the current-voltage characteristics stem from the effect of ionizing radiation on the undoped layers. The radiation-stimulated diffusion of the heteropair components in the contact region is shown to be important for the voltage drop distribution.
