Исследование кинетики образования фаз в системе MoSi₂-W в условиях нагрева при температурах 1500-1800 °С

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Физическая инженерия поверхности
→
Физическая инженерия поверхности, 2014 (том 12)
→
Физическая инженерия поверхности, 2014, № 2
→
Переглянути статтю

Исследование кинетики образования фаз в системе MoSi₂-W в условиях нагрева при температурах 1500-1800 °С

Глушко, П.И. ; Журавлёв, А.Ю. ; Семёнов, Н.А. ; Хованский, Н.А. ; Широков, Б.М. ; Шиян, А.В. ; Щербакова, В.В.

Інші назви: Дослідження кінетики утворювання фаз у системі MoSi₂-W в умовах нагрівання при температурах 1500—1800 °С
The kinetics of phase formation in system MoSi₂-W under heating at temperature 1500—1800 °C

УДК: 669.018.298

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103567

Посилання: Исследование кинетики образования фаз в системе MoSi₂-W в условиях нагрева при температурах 1500-1800 °С / П.И. Глушко, А.Ю. Журавлёв, Н.А. Семёнов, Н.А. Хованский, Б.М. Широков, А.В. Шиян, В.В. Щербакова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 219-222. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Дата: 2014

Завантажень: 351

Исследование кинетики образования фаз в системе MoSi₂-W в условиях нагрева при температурах 1500-1800 °С

Анотація:

Исследована кинетика перераспределения фаз в системе MoSi₂-W при 1500—1800 °С. Определены кинетические параметры роста низших силицидов (Mo, W)5Si₃ и уменьшение слоя высшего силицида MoSi₂ в зависимости от температуры окисления. Установлено, что стабильность системы MoSi₂-W превышает стабильность систем MoSi₂-Mo и WSi₂-W.

Досліджено кінетику перерозподілу фаз у системі MoSi₂-W при 1500—1800 °С. Визначено кінетичні параметри росту нижчих силіцидів (Mo, W)5Si₃ і зменшення шару вищого силіциду MoSi₂ залежно від температури окислення. Встановлено, що стабільність системи MoSi₂-W перевищує стабільність систем MoSi₂-Mo і WSi₂-W.

The kinetics of phase redistribution in the MoSi₂-W system has been investigated in the temperature range 1500—1800 °С. Kinetic parameters for growth of low silicides (Mo, W)5Si₃ and loss of the highest silicide MoSi₂ were determined depending on the temperature of oxidation. It is that stability of multicomponent and multiphase systems MoSі₂-W exceeds stability system MoSі₂-Mo and WSі₂-W.

Показати повний запис статті