Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Silicon-on-insulator technology for microelectromechanical applications
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, том 2
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Silicon-on-insulator technology for microelectromechanical applications
Інший ID:
PACS: 07.79.-v, 07.10.Pz,) 7.10 Cm, 07.07.Df, 85.40.Qx, 84.37.+q
Посилання:
Silicon-on-insulator technology for microelectromechanical applications / A.Y. Usenko, W.N. Carr // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 93-97. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.
Підтримка:
This work is partially funded by US Ballistic Missile Defense Organization Contract № DASG60-98-M-0127.
Дата:
1999
Переглядів:
662
Завантажень:
419
Анотація:
A purpose of the paper is to give a review of recent development (1998-1999) in microelectromechanical (MEMS) devices formed on silicon-on-insulator (SOI) substrates. Advantages of using SOI are summarised. Problems of CMOS-MEMS integration for smart sensors are listed. Examples of successful use of SOI to fabricate advanced MEMS are given and future prospects MEMS on SOI are evaluated.
