Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, том 3
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
Інший ID:
PACS 61.10.Eq; 61.71.Ff, 61.72.Ji, 61.72.Nn, 61.72.Qq
Посилання:
Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals / I.V. Prokopenko, E.N. Kislovskii, S.I. Olikhovskii, V.M. Tkach, P.M. Lytvyn, T.P. Vladimirova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 275-281. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.
Дата:
2000
Переглядів:
707
Завантажень:
411
Анотація:
We used X-ray diffraction method of total rocking curves and nondestructive direct observation techniques (atomic force and scanning electron microscopies) to quantitatively determine the defect characteristics (radii and concentrations) for the main types of defects in Czochralski-grown silicon single crystals annealed at 750 °С.
