Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, том 13
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
Інший ID:
PACS 73.40.Cg, 73.40.Ns, 85.30.-z
Посилання:
Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts / A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Sachenko, V.N. Sheremet // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 4. — С. 436-438. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
Дата:
2010
Переглядів:
755
Завантажень:
319
Анотація:
We investigated temperature dependence of contact resistance of an
Au−Ti−Pd₂Si ohmic contact to heavily doped n⁺
-Si. The contact resistance increases with
temperature owing to conduction through the metal shunts. In this case, the limiting
process is diffusion input of electrons to the metal shunts. The proposed mechanism of
contact resistance formation seems to realize also in the case of wide-gap semiconductors
with high concentration of surface states and dislocation density in the contact.
