Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO₂ structure
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, том 13
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO₂ structure
Інший ID:
PACS 61.05.cm, 61.72.Cc, 68.35.bg
Посилання:
Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO₂ structure / I.R. Yatsunskiy, O.A. Kulinich // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 4. — С. 418-421. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
Дата:
2010
Переглядів:
665
Завантажень:
314
Анотація:
The structure of near-surface silicon layers of Si-SiO₂ has been investigated. It
was observed the complex destruction of these layers caused by relaxation of mechanical
stresses. The magnitude of mechanical stresses depends not only on parameters of silicon
dioxide and silicon but on presence of initial defects in silicon. We have proposed the
defect formation mechanism of near-surface layers in Si-SiO₂ structure, and it has been
revealed the influence of impurities on this process.
