Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников

Abstract

В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе. Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результаты представляют существенный интерес при исследованиях поликристаллических полупроводниковых р-n-структур.

У роботі експериментально досліджені впливи міжзернових границь (МЗГ) на дрейф носіїв заряду в об’ємі полікристалічного кремнію (ПК) і р-n-структур на їхній основі. Запропоновано модель р-n-переходу в області МЗГ ПК р-n-структур. Запропоновані метод і модель р-n-переходу в МЗГ. Отримані результати становлять істотний інтерес при дослідженнях полікристалічних напівпровідникових р-n-структур.

We experimentally investigated the influence of inter-grain boundaries on the drift of charge carriers in the volume of polycrystalline silicon (PC) and p-n-structures based on them. A model of p-njunction in IGBs PC p-n-structures. The proposed method and model p-n-junction in the intergrain boundaries, and the results represent a significant interest in studies of polycrystalline semiconductor p-n-structures.