Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Олимов, Л.О. | |
| dc.date.accessioned | 2016-04-18T17:48:28Z | |
| dc.date.available | 2016-04-18T17:48:28Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.identifier.citation | Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1999-8074 | |
| dc.identifier.other | PACS: 61.82.Fk, 61.72.Mm, 79.40.+z, 61.82.Rx, 73.22.-f, 73.61.-r, 73.90.+f, 73.43.Jn, 73.50.Lw, 72.40.+w, 73.50.Pz | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98868 | |
| dc.description.abstract | В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе. Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результаты представляют существенный интерес при исследованиях поликристаллических полупроводниковых р-n-структур. | uk_UA |
| dc.description.abstract | У роботі експериментально досліджені впливи міжзернових границь (МЗГ) на дрейф носіїв заряду в об’ємі полікристалічного кремнію (ПК) і р-n-структур на їхній основі. Запропоновано модель р-n-переходу в області МЗГ ПК р-n-структур. Запропоновані метод і модель р-n-переходу в МЗГ. Отримані результати становлять істотний інтерес при дослідженнях полікристалічних напівпровідникових р-n-структур. | uk_UA |
| dc.description.abstract | We experimentally investigated the influence of inter-grain boundaries on the drift of charge carriers in the volume of polycrystalline silicon (PC) and p-n-structures based on them. A model of p-njunction in IGBs PC p-n-structures. The proposed method and model p-n-junction in the intergrain boundaries, and the results represent a significant interest in studies of polycrystalline semiconductor p-n-structures. | uk_UA |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Физическая инженерия поверхности | |
| dc.title | Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.identifier.udc | 666.3.017 |
