Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 4-5 за датою випуску

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 4-5 за датою випуску

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Выбор конфигурации соединения компонентов электронных схем до этапа размещения 
    Зудин, С.В.; Лузин, С.Ю.; Полубасов О.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Предложен метод построения деревьев соединений компонентов в многозвенных цепях с целью повышения качества автоматического размещения в САПР печатных плат и БИС.
  • Моделирование разъемных контактов в электрических соединениях электронной аппаратуры 
    Ефименко, А.А.; Шаталов, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Построены модели и переходные характеристики разъемных электрических соединителей. Исследовано влияние параметров соединителя на передаваемые высокочастотные сигналы при различных схемах его включения и при различных ...
  • Методика расчета и исследование усилителя класса Е 
    Крыжановский, В.Г.; Рудякова, А.Н.; Чернов, Д.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Рассмотрены уравнения, описывающие режимы работы и параметры конструктивных элементов усилителя класса Е. Экспериментально исследованы частотные и энергетические характеристики усилителя с высокодобротной выходной цепью ...
  • Фотосчитывание спектральных распределений радиосигналов в акустооптическом анализаторе спектра 
    Данилов, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Сообщаются результаты разработки акустооптического анализатора спектра радиосигналов. Приведены структурные схемы и описание взаимодействия узлов электронной части анализатора, в частности, элементов регистрации спектральных ...
  • Реализация цифровой системы высокочастотной связи по линиям электропередачи 
    Ткаченко, В.Б.; Видгольц, П.И.; Меньщиков, Д.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Рассмотрена проблема использования новых методов обработки сигнала в аппаратуре связи по ЛЭП для электроэнергетики. Сообщаются результаты разработки и испытаний аппаратуры АВС-Ц. Показаны преимущества АВС-Ц по сравнению с ...
  • Внутриобъектовые оптические кабели 
    Иоргачев, Д.В.; Бондаренко, О.В.; Мурадьян, Л.Л. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Рассмотрены основные конструкции кабелей внутренней прокладки, которые выпускаются зарубежными кабельными компаниями: пэтч-кордовые, предназначенные для изготовления соединительных шнуров и создания кабельной разводки в ...
  • Влияние режима работы термоэлектрического устройства на его надежность 
    Моисеев, В.Ф.; Зайков, В.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Предложена и рассмотрена физическая модель, связывающая показатели надежности и основные значимые параметры термоэлектрического устройства (ТЭУ). Показано, что для повышения надежности функционирования ТЭУ следует выбирать ...
  • Алгоритм управления для нечеткого регулятора 
    Вершинина, Л.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Для решения проблем многомерного входа и точной интерпретации нечеткого вывода разработан алгоритм управления для нечеткого регулятора, осуществляющий аналитическую аппроксимацию нечеткого вывода с предварительным ...
  • Повышение достоверности отбраковки БИС методом понижения питающего напряжения 
    Белоус, А.И.; Емельянов, В.А.; Ефименко, С.А.; Прибыльский, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Предложен новый способ отбраковки БИС на основе метода понижения напряжения питания: при понижении напряжения питания фиксируются два значения напряжения питания, при которых происходит несовпадение, соответственно, первого ...
  • Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки 
    Светличный, А.М.; Агеев, О.А.; Шляховой, Д.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки.
  • Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра 
    Добровольский, Ю.Г.; Рюхтин, В.В.; Шимановский, А.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Разработаны кремниевые p—n-фотодиоды, чувствительные к ближней области ультрафиолетового излучения (до 190 нм). Высокий уровень токовой монохроматической чувствительности в этой области спектра (0,1 А/Вт) достигнут повышением ...
  • Влияние радиационного облучения на характеристики солнечных элементов из поликристаллического кремния 
    Завадский, В.А.; Масенко, Б.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Приведены результаты исследований влияния облучения быстрыми нейтронами на характеристики солнечных элементов из монокристаллического и поликристаллического профилированного и перепрофилированного кремния. Показана более ...
  • Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы 
    Викулина, Л.Ф.; Храмов, Е.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Исследовано влияние γ-излучения на параметры магнитоуправляемых переключающих микросхем типа К1116КП. Обнаружено, что под действием излучения уменьшается эдс Холла, входящего в схему датчика, а также коэффициенты передачи ...
  • Интегральные микроэлектронные преобразователи для дистанционных измерений 
    Гусейнов, Я.Ю. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Разработаны магнито- и газочувствительные интегральные преобра­зователи с частотным выходом на базе пленок поликристаллического кремния, выращенных в едином технологическом цикле эпитаксиаль­ного наращивания монокристаллических ...
  • Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров 
    Негоденко, О.Н.; Семенцов, В.И.; Мардамшин, Ю.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Предлагается повышать чувствительность индуктивных балансных сенсоров (ИБС) настройкой выходного контура в резонанс с частотой генератора, а также увеличением количества входных катушек. Это позволяет увеличить расстояние ...
  • Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений 
    Гаркавенко, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, ...
  • Влияние пластической деформации на анизотропию электропроводности трансформаторной стали 
    Усов, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Пластическая обработка трансформаторной стали Fe – 3% Si, имеющей объемно центрированную кубическую решетку, приводит к возникновению качественно новых свойств — анизотропии электропроводности. Учет этой анизотропии позволит ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис