Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002 за автором "Круковский, С.И."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002 за автором "Круковский, С.И."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi 
    Вакив, Н.М.; Круковский, С.И.; Завербный, И.Р.; Мрыхин, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, ...
  • Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии 
    Круковский, С.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование ...
  • Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии 
    Николаенко, Ю.Е.; Круковский, С.И.; Завербный, И.Р.; Рыбак, О.В.; Мрыхин, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис