Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе 
    Касимов, Ф.Д.; Лютфалибекова, А.Э. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных ...
  • Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия 
    Завадский, В.А.; Ленков, С.В.; Лукомский, Д.В.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в ...
  • Влияние теплопереходов на температурный перепад многокаскадной термо­электрической батареи 
    Николаенко, Ю.Е.; Вихор, Л.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Предлагается численный метод расчета характеристик каскадного термоэлектрического охладителя (ТЭО), на основе которого исследуется влияние распределения температуры в межкаскадных теплопереходах из различных материалов на ...
  • Генераторы с электромеханическими преобразователями на аналогах негатронов 
    Негоденко, О.Н.; Воронин, В.А.; Заруба, Д.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Определены условия, при которых генераторы с электромеханическими преобразователями на аналогах негатронов не чувствительны к изменению механической нагрузки на преобразователь. Показано, что генераторы с пьезопреобразователями ...
  • Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi 
    Вакив, Н.М.; Круковский, С.И.; Завербный, И.Р.; Мрыхин, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, ...
  • Диодные реакторные системы микротравления 
    Фареник, В.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Выполнены разработки малоэнергоемкого плазменного технологического оборудования на основе разрядов с комбинированными постоянным и переменным электрическим и магнитным полями. В настоящей работе приведены результаты ...
  • Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников 
    Васильев, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Комплекс позволяет исследовать оптические свойства полупроводниковых материалов, в частности, ширину запрещенной зоны, энергию ионизации примесей. В его основу положен метод оптоемкостной спектроскопии. Метод является ...
  • Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов 
    Шпотюк, О.И.; Гадзаман, И.В.; Охримович, Р.В.; Вакив, Н.М.; Осечкин, С.И.; Цмоць, В.М.; Брунец, И.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    На примере Coобогащенного состава Cu₀,₁Ni₀,₁Mn₁,₂Co₁,₆O₄ показана возможность использования полупроводниковой шпинельной керамики системы NiMn₂O₄-CuMn₂O₄-MnCo₂O₄ для получения высокостабильных толстопленочных терморезисторов ...
  • Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления 
    Марончук, И.Е.; Кучерук, А.Д.; Ерохин, С.Ю.; Чорный, И.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик ...
  • Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" 
    Косяченко, Л.А.; Марков, А.В.; Остапов, С.Э.; Раренко, И.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной ...
  • Исследование методов построения вычислительных устройств на основе FPGA 
    Жабин, В.И.; Ковалев, Н.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассматриваются методы построения вычислительных устройств (ВУ) на базе FPGA с использованием параллельных и квазипараллельных операционных блоков. Исследуются характеристики их ресурсоемкости, максимального быстродействия ...
  • Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии 
    Круковский, С.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование ...
  • Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники 
    Ажажа, В.М.; Ковтун, Г.П.; Неклюдов, И.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr ...
  • Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС 
    Вербицкий, В.Г.; Золотаревский, В.И.; Николаенко, Ю.Е.; Самотовка, Л.И.; Товмач, Е.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрены некоторые особенности проектирования в части обеспечения правильного функционирования высоковольтных КМОП БИС аналогового ключа с управлением и коммутаторов путем защиты электрической схемы, выполняющей заданное ...
  • Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах 
    Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Стовповой, М.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм ...
  • Контролепригодные двухканальные логические схемы цифровых компараторов 
    Тимошкин, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассматриваются контролепригодные двухканальные логические схемы цифровых компараторов, предназначенные для реализации в виде печатных узлов. Рассматриваемые контролепригодные логические схемы обладают свойством самопроверяемости ...
  • Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА 
    Николаенко, Ю.Е.; Рассамакин, Б.М.; Хайрнасов, С.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Приведены результаты экспериментального исследования рабочих характеристик контурных тепловых труб (КТТ) с ацетоном и аммиаком. Корпус КТТ изготавливался из нержавеющей стали и алюминия. Испарительная камера выполнялась ...
  • Корреляционная пассивная звуковая локация 
    Тарасов, В.А.; Кропачев, Д.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Разработаны алгоритмы корреляционной пассивной локации звуковых источников. Разработанные алгоритмы стали основой для практической реализации системы пассивной звуковой локации. Проведенные натурные испытания системы ...
  • Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем 
    Искендер-заде, З.А.; Касимов, Ф.Д.; Исмайлова, С.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в ...
  • Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС 
    Балицкая, В.А.; Вакив, Н.М.; Шпотюк, О.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Обсуждаются экспериментальные реузльтаты низкотемпературной деградации терморезисторов с отрицательным ТКС на основе манганитов переходных металлов (Cu, Ni, Co, Mn)₃O₄. Впервые установлено, что, независимо от химического ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис