Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами

Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами

Храмов, Е.Ф. ; Прохоров, Г.В. ; Пелихатый, Н.М. ; Гнап, А.К.

Інші назви: Explosive crystallization thin films of semiconductors at γ-quantums irradiation

Тема: Материалы электроники

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70618

Посилання: Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами м/ Е.Ф. Храмов, Г.В. Прохоров, Н.М. Пелихатый, А.К. Гнап // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Дата: 2003

Завантажень: 662

Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами

Анотація:

Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационного дефектообразования выявлена одна из возможных причин искажения электрического сигнала в слоистых структурах изделий твердотельной электроники.

This paper deals with finding out the causes of appearing nonlinearities of the integral circuits components. It has been shown that in the interaction with γ - quantum's recrystallization tares place in semiconductors. The recrystallized areas are among the causes which produce the signal deformation.

Показати повний запис статті