Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 2 за датою випуску

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 2 за датою випуску

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Анализ структур отказоустойчивых бортовых комплексов при использовании электронных компонентов Industry 
    Харченко, В.С.; Юрченко, Ю.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Анализируется возможность применения электронных компонентов Industry в аппаратуре бортовых комплексов, работающих при повышенном уровне радиации. Исследуются структуры бортовых комплексов различных систем управления при ...
  • Математическая постановка задачи синтеза компоновочной схемы базовых несущих конструкций 
    Кондрашов, А.С.; Шелест, В.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Предложена и обоснована математическая постановка задачи структурно-параметрического синтеза компоновочной схемы базовых несущих конструкций радиоэлектронных средств. Приводится целевая функция, позволяющая определять ...
  • Планарные LC-резонаторы с распределенными параметрами и их применение 
    Негоденко, О.Н.; Семенцов, В.И.; Хвостенко, А.А.; Заруба, Д.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Приведена конструкция LC-резонатора с распределенными параметрами. Получены эквивалентные схемы резонатора при различных вариантах его включения. Показано, что на частотах ниже граничной резонатор представляется параллельной ...
  • Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника 
    Мамедов, А.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на ...
  • Повышение информативности контроля композиционных материалов методом низкоскоростного удара 
    Еременко, В.С.; Еременко, С.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассматривается методика определения информативных параметров импульсов силы ударного взаимодействия при контроле композиционных материалов методом низкоскоростного удара. Предложено использовать в качестве диагностических ...
  • Метод обнаружения и оценки ударных возбуждений 
    Ермилов, Ю.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    В рамках задачи диагностирования систем с энергетическими установками рассматриваются реакции элементов установок, которые несут информацию о состоянии объекта. Приводится исследование эффективности обнаружения и оценки ...
  • Определение диаметра луча с помощью фотоприемника 
    Викулина, Л.Ф.; Мингалев, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Получена формула, связывающая сопротивление фоторезистора, на световую площадку которого падает луч, с диаметром этого луча, если диаметр луча меньше размеров световой площадки. По этой формуле и вычисляется значение ...
  • Способ измерения массы (веса) движущихся объектов 
    Скубилин, М.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Предлагается способ измерения (контроля) массы (веса) объектов, состоящий в измерении сил взаимного тяготения чувствительного элемента гравиметра при отсутствии и при наличии объекта в заданном пространстве и в преобразовании ...
  • Оценка технологического процесса изготовления СБИС по стабильности элементов ее структуры 
    Вантеев, А.М.; Коробов, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Применяемый в производстве СБИС метод тестовых схем предлагается дополнить методикой определения нестабильных во времени элементов физической структуры изделия с использованием модели деградационных процессов. Показана ...
  • Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников 
    Григорьев, Н.Н.; Кравецкий, М.Ю.; Пащенко, Г.А.; Сыпко, С.А.; Фомин, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Разработана физическая модель операций бесконтактного химико-механического полирования и химической резки. Получены аналитические выражения, связывающие геометрию образованной поверхности и скорость обработки с физическими ...
  • Установка толстослойного анодирования алюминия 
    Сокол, В.А.; Игнашев, Е.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    С целью повышения эффективности охлаждения пластин при получении оснований из анодированного алюминия предложено производить процесс толстослойного анодирования при непрерывном движении пластин. На этом принципе создана ...
  • Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия 
    Ковалюк, З.Д.; Махний, В.П.; Янчук, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Анализируются электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p—n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждается влияние ...
  • Оптико-электронный дальномер малых дистанций для динамических систем 
    Ваксман, Ю.Ф.; Сантоний, В.И.; Янко, В.В.; Иванченко, И.А.; Будиянская, Л.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассмотрено применение в оптико-электронной дальнометрии фазового метода измерения малых дистанций. Определена аналитическая зависимость точности измерений от динамики измерительной системы. Рассчитаны частотные характеристики ...
  • Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ 
    Колежук, К.В.; Комащенко, В.Н.; Шереметова, Г.И.; Бобренко, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических ...
  • Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов 
    Терлецкая, Л.Л.; Калиниченко, Л.Ф.; Голубцов, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии ...
  • Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором 
    Корнейчук, В.И.; Рогалевич, О.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Экспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p—i—n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей ...
  • Приборы определения солености воды на основе индуктивных балансных сенсоров 
    Негоденко, О.Н.; Черевко, С.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Для определения солености питьевой воды предлагается двухкатушечный индуктивный балансный сенсор, а для воды заземленных водоемов — трехкатушечный. В первом случае полезный сигнал выводится на стрелочный индикатор, во ...
  • Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами 
    Храмов, Е.Ф.; Прохоров, Г.В.; Пелихатый, Н.М.; Гнап, А.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис