ЗМІСТ

Харченко В.С., Юрченко Ю.Б.
Анализ структур отказоустойчивых бортовых комплексов при использовании электронных компонентов Industry

Кондрашов А.С., Шелест В.И.
Математическая постановка задачи синтеза компоновочной схемы базовых несущих конструкций

Негоденко О.Н., Семенцов В.И., Хвостенко А.А., Заруба Д.В.
Планарные LC-резонаторы с распределенными параметрами и их применение

Мамедов А.К.
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника

Еременко В.С., Еременко С.И.
Повышение информативности контроля композиционных материалов методом низкоскоростного удара

Ермилов Ю.В.
Метод обнаружения и оценки ударных возбуждений

Викулина Л.Ф., Мингалев В.А.
Определение диаметра луча с помощью фотоприемника

Скубилин М.Д.
Способ измерения массы (веса) движущихся объектов

Вантеев А.М., Коробов А.И.
Оценка технологического процесса изготовления СБИС по стабильности элементов ее структуры

Григорьев Н.Н., Кравецкий М.Ю., Пащенко Г.А., Сыпко С.А., Фомин А.В.
Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников

Сокол В.А., Игнашев Е.П.
Установка толстослойного анодирования алюминия

Ковалюк З.Д., Махний В.П., Янчук А.И.
Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия

Ваксман Ю.Ф., Сантоний В.И., Янко В.В., Иванченко И.А., Будиянская Л.М.
Оптико-электронный дальномер малых дистанций для динамических систем

Колежук К.В., Комащенко В.Н., Шереметова Г.И., Бобренко Ю.Н.
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶

Терлецкая Л.Л., Калиниченко Л.Ф., Голубцов В.В.
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов

Корнейчук В.И., Рогалевич О.А.
Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором

Негоденко О.Н., Черевко С.А.
Приборы определения солености воды на основе индуктивных балансных сенсоров

Храмов Е.Ф., Прохоров Г.В., Пелихатый Н.М., Гнап А.К.
Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами