Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании

dc.contributor.author	Ковтун, Г.П.
dc.contributor.author	Кравченко, А.И.
dc.contributor.author	Кондрик, А.И.
dc.date.accessioned	2014-01-22T23:08:44Z
dc.date.available	2014-01-22T23:08:44Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 5-7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53564
dc.description.abstract	Установлено существование оптимального значения теплопроводности, при котором достигается наиболее равномерное распределение модуля температурного градиента на фронте кристаллизации.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании	uk_UA
dc.title.alternative	Температурне поле у кристалі ітрій-алюміієвого гранату при двостадійному вирощуванні	uk_UA
dc.title.alternative	Temperature field in Y₃Al₅O₁₂:Nd garnet crystal at two-phase growth	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA