Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

dc.contributor.author	Бончик, А.Ю.
dc.contributor.author	Ижнин, И.И.
dc.contributor.author	Кияк, С.Г.
dc.contributor.author	Савицкий, Г.В.
dc.date.accessioned	2014-01-22T23:00:56Z
dc.date.available	2014-01-22T23:00:56Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53563
dc.description.abstract	Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si	uk_UA
dc.title.alternative	Вплив режимів іонного легування та фотонного відпалу на параметри імплантованих шарів n-GaAs:Si	uk_UA
dc.title.alternative	Influence of ion doping and photon annealing modes on properties of n-GaAs:Si implanted layers	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA