Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Amphoteric center of luminescence in CdS
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, том 8
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Amphoteric center of luminescence in CdS
Інший ID:
PACS: 71.55.Gs, 78.55.Et
Посилання:
Amphoteric center of luminescence in CdS / O. O. Artem'jeva, O. V. Vakulenko, O. I. Dacenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
Дата:
2005
Переглядів:
761
Завантажень:
318
Анотація:
The impurity photoluminescence of cadmium sulphide crystals is studied. The luminescence intensity dependences on temperature from 80 to 300 K are obtained for the bands at 1.7 and 2 eV. The thermal curve of 1.7 eV luminescence intensity has a peak between 100 and 150 K. Both these bands are associated with emission of the center based on the VCd-type intrinsic point defect. The results can be explained within the framework of the theory of amphoteric centers of charge carrier recombination.
