Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Surface microrelief obtained by composed target deposition for LC molecules alignment

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Kolomzarov, Yu.
dc.contributor.author Oleksenko, P.
dc.contributor.author Sorokin, V.
dc.contributor.author Tytarenko, P.
dc.contributor.author Zelinskyy, R.
dc.date.accessioned 2017-06-15T03:48:54Z
dc.date.available 2017-06-15T03:48:54Z
dc.date.issued 2006
dc.identifier.citation Surface microrelief obtained by composed target deposition for LC molecules alignment / Yu. Kolomzarov, P. Oleksenko, V. Sorokin, P. Tytarenko, R. Zelinskyy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 58-62. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 42.79.Kr
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121643
dc.description.abstract Technology of SiOx:In,Sn aligning films deposited by the cathode reactive sputtering (CRS) method is presented. The influence of In, Sn alloy surface concentration in Si cathode target on aligning film properties are investigated by the AFM and optical profilometry methods. The properties of aligning microrelief obtained by CRS method for various In, Sn concentration and by the polyimide rubbing method are compared. It was shown that such aligning microrelief can create defectless and perfect at the microscopic level nematic LC oriented structures. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Surface microrelief obtained by composed target deposition for LC molecules alignment uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис