Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Nonparabolicity effects on electron-confined LO-phonon scattering rates in GaAs-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As superlattice
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, том 8
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Nonparabolicity effects on electron-confined LO-phonon scattering rates in GaAs-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As superlattice
Інший ID:
PACS 71.20.-b, 73.21.Cd
Посилання:
Nonparabolicity effects on electron-confined LO-phonon scattering rates in GaAs-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As superlattice / D. Abouelaoualim // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 60-64. — Бібліогр.: 42 назв. — англ.
Дата:
2005
Переглядів:
668
Завантажень:
316
Анотація:
We investigate theoretically the effect of nonparabolic band structure on the electron-confined LO-phonon scattering rate in GaAs-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As superlattice. Using the quantum treatment, the new wave function of electron miniband conduction of superlattice and a reformulation of the slab model for the confined LO-phonon modes has been considered. An expression for the scattering rates has been obtained. Our results show that, for transitions related to the emission of confined LO-phonon, the scattering rates are significantly increased in the band nonparabolicity case.
