Simulation of energy states in solid solutions based on the ferroelectrics- semiconductors of Sn₂P₂S₆ type

Simulation of energy states in solid solutions based on the ferroelectrics- semiconductors of Sn₂P₂S₆ type

Mitin, O.B. ; Kharkhalis, L.Yu. ; Mikajlo, O.A. ; Melnichenko, T.N. ; Dorogany, V.

Інші назви: Моделювання енергетичних станів у твердих розчинах на основі сегнетоелектриків- напівпровідників типу Sn₂P₂S₆

Інший ID: DOI:10.5488/CMP.3.4.777
PACS: 71, 07.05.Tp, 71.15.-m, 71.15.Hx, 71.20.Nr

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120995

Посилання: Simulation of energy states in solid solutions based on the ferroelectrics- semiconductors of Sn₂P₂S₆ type / O.B. Mitin, L.Yu. Kharkhalis, O.A. Mikajlo, T.N. Melnichenko, V. Dorogany // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 777-786. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Підтримка: Authors are very grateful to Prof. Dr. D.M.Bercha for her help in the analysis of the results obtained.

Дата: 2000

Завантажень: 436

Simulation of energy states in solid solutions based on the ferroelectrics- semiconductors of Sn₂P₂S₆ type

Анотація:

The energy spectra of charge carriers in several models of the ordered solid solutions and virtual crystal model based on the ferroelectrics of Sn₂P₂S₆ type are calculated by the semiempirical pseudopotential method. It is shown that the band gap depends on the employed model of the solid solution.

Методом напівемпіричного псевдопотенціалу розраховані енергетичні спектри носіїв заряду в деяких моделях впорядкованих твердих розчинів і моделі віртуального кристала на основі сегнетоелектриків-напівпровідників типу Sn₂P₂S₆. Показано, що ширина забороненого зони суттєво залежить від вибраної моделі твердого розчину.

Показати повний запис статті