Simulation of energy states in solid solutions based on the ferroelectrics- semiconductors of Sn₂P₂S₆ type

dc.contributor.author	Mitin, O.B.
dc.contributor.author	Kharkhalis, L.Yu.
dc.contributor.author	Mikajlo, O.A.
dc.contributor.author	Melnichenko, T.N.
dc.contributor.author	Dorogany, V.
dc.date.accessioned	2017-06-13T12:19:25Z
dc.date.available	2017-06-13T12:19:25Z
dc.date.issued	2000
dc.identifier.citation	Simulation of energy states in solid solutions based on the ferroelectrics- semiconductors of Sn₂P₂S₆ type / O.B. Mitin, L.Yu. Kharkhalis, O.A. Mikajlo, T.N. Melnichenko, V. Dorogany // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 777-786. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1607-324X
dc.identifier.other	DOI:10.5488/CMP.3.4.777
dc.identifier.other	PACS: 71, 07.05.Tp, 71.15.-m, 71.15.Hx, 71.20.Nr
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120995
dc.description.abstract	The energy spectra of charge carriers in several models of the ordered solid solutions and virtual crystal model based on the ferroelectrics of Sn₂P₂S₆ type are calculated by the semiempirical pseudopotential method. It is shown that the band gap depends on the employed model of the solid solution.	uk_UA
dc.description.abstract	Методом напівемпіричного псевдопотенціалу розраховані енергетичні спектри носіїв заряду в деяких моделях впорядкованих твердих розчинів і моделі віртуального кристала на основі сегнетоелектриків-напівпровідників типу Sn₂P₂S₆. Показано, що ширина забороненого зони суттєво залежить від вибраної моделі твердого розчину.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Authors are very grateful to Prof. Dr. D.M.Bercha for her help in the analysis of the results obtained.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики конденсованих систем НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Condensed Matter Physics
dc.title	Simulation of energy states in solid solutions based on the ferroelectrics- semiconductors of Sn₂P₂S₆ type	uk_UA
dc.title.alternative	Моделювання енергетичних станів у твердих розчинах на основі сегнетоелектриків- напівпровідників типу Sn₂P₂S₆	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA