Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Pre- and postmelting of cadmium telluride
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, том 2
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Pre- and postmelting of cadmium telluride
Інший ID:
PACS: 72.20, 72.80.P
Посилання:
Pre- and postmelting of cadmium telluride / L.P. Shcherbak, P.I. Feichouk, Yu.A. Plevachouk, O.V. Kopach, L.T. Turyanska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 76-80. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.
Дата:
1999
Переглядів:
739
Завантажень:
363
Анотація:
A stepwise character of cadmium telluride melting is shown by using differential thermal analysis and conductivity measurements in the 1323 to 1473 K temperature range. According to the results of differential thermal analysis the parameters of CdTe melting are determined by the premelting processes that are related to defect production in crystal lattice. The crystallization processes are controlled with the melt state (structure) that depends on its maximum temperature.
