Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, том 4
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide
Інший ID:
PACS 61.72
Посилання:
Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide / A.P. Kudin, V.I. Kuts, P.G. Litovchenko, M.B. Pinkovska, V.P. Tartachnyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 156-159. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
Дата:
2001
Переглядів:
723
Завантажень:
324
Анотація:
Spectral distribution of photoconductivity of initial and gamma-irradiated p-type zinc diphosphide crystals of tetragonal modification has been studied.
It is supposed that band hn = 1.65 eV responses to clusters of defects existing in initial crystals. Complex defects appearing during high temperature treatment (400oC) form band hn = 1.55-2.14 eV. Irradiation leads to the decrease of dark current and appearing of acceptor type level which can be annealed in the temperature interval 20-100⁰C.
