Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, том 4
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs
Інший ID:
PACS: 68.35, 72.20.J, 73.20, 73.40,85.30.T
Посилання:
Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs / V.S. Lysenko, I.P. Tyagulski, Y.V. Gomeniuk, I.N. Osiyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 2. — С. 75-81. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.
Дата:
2001
Переглядів:
697
Завантажень:
446
Анотація:
Operation of n-channel MOSFET was studied at low temperatures. It has been shown that the charge state of shallow traps in the Si/SiO₂ interface is responsible for the hysteresis of transistor drain characteristics in the prekink region. Thermally activated emptying of these traps leads to the sharp decrease of the current in the subthreshold mode of transistor operation
