Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Electrical properties of macroporous silicon structures
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, том 4
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Electrical properties of macroporous silicon structures
Інший ID:
PACS: 71.25.Rk, 81.60.Cp
Посилання:
Electrical properties of macroporous silicon structures / L.A. Karachevtseva, O.A. Lytvynenko, E.A. Malovichko, V.D. Sobolev, O.J. Stronska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 1. — С. 40-43. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.
Дата:
2001
Переглядів:
692
Завантажень:
351
Анотація:
The dependencies of electron conductivity, concentration and mobility on pore size and concentration were investigated for macroporous silicon structures. The electron conductivity and concentration in two-layer structures of macroporous silicon, and also in a matrix of macroporous layers have a maximum for a macropore volume of V = 0.3-0.4. Thus the electron mobility decreases monotonically. The experimental results were explained by a model based on the existence of electron-enriched regions around pores, with thickness ΔD ≈ 1 mm formed after electrochemical and chemical treatment of the macropore walls.
