Показати простий запис статті

dc.contributor.author Karachevtseva, L.A.
dc.contributor.author Lytvynenko, O.A.
dc.contributor.author Malovichko, E.A.
dc.contributor.author Sobolev, V.D.
dc.contributor.author Stronska, O.J.
dc.date.accessioned 2017-06-05T15:59:59Z
dc.date.available 2017-06-05T15:59:59Z
dc.date.issued 2001
dc.identifier.citation Electrical properties of macroporous silicon structures / L.A. Karachevtseva, O.A. Lytvynenko, E.A. Malovichko, V.D. Sobolev, O.J. Stronska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 1. — С. 40-43. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS: 71.25.Rk, 81.60.Cp
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119238
dc.description.abstract The dependencies of electron conductivity, concentration and mobility on pore size and concentration were investigated for macroporous silicon structures. The electron conductivity and concentration in two-layer structures of macroporous silicon, and also in a matrix of macroporous layers have a maximum for a macropore volume of V = 0.3-0.4. Thus the electron mobility decreases monotonically. The experimental results were explained by a model based on the existence of electron-enriched regions around pores, with thickness ΔD ≈ 1 mm formed after electrochemical and chemical treatment of the macropore walls. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Electrical properties of macroporous silicon structures uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис