Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, том 7
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, № 3
→
Переглянути статтю

Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters

Avdeev, S.P. ; Agueev, O.A. ; Konakova, R.V. ; Kudryk, Ya.Ya. ; Lytvyn, O.S. ; Lytvyn, P.M. ; Milenin, V.V. ; Sechenov, D.A. ; Svetlichny, A.M. ; Soloviev, S.I. ; Sudarshan, T.S.

Інший ID: PACS: 73.40.Cg

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119122

Посилання: Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters / S.P. Avdeev, O.A. Agueev, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, D.A. Sechenov, A.M. Svetlichny, S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 3. — С. 272-278. — Бібліогр.: 30 назв. — англ.

Підтримка: The authors are indebted to Dr. Phys.-Math. Sci. P.А. Аlexandrov for provision of investigation of 21R-SiC samples and his permanent interest to this work.

Дата: 2004

Завантажень: 352

Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters

Анотація:

We present experimental investigations of the effect of rapid thermal treatment with incoherent IR radiation, as well as electric-spark and electron-beam treatments, on the electric parameters of Ni(Ti) n-21R(6H)-SiC contacts. The results obtained show that pulse thermal treatment is an efficient technique for local change of parameters of heterogeneous metal/silicon carbide structures.

Показати повний запис статті