Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, том 13
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
Інший ID:
PACS 78.55.Mb
Посилання:
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field
in porous InP / V.V. Milenin, R.A. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 330-333. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
Дата:
2010
Переглядів:
728
Завантажень:
399
Анотація:
We present results of investigations of the effect caused by weak magnetic
field (B = 60 mT) in porous InP crystals of impurity-defect composition. This effect was
found when studying the spectra of radiative recombination within the range 0.6 to
2.0 µm at 77 K. It was obtained that field influence initiates long-term changes in the
intensity of radiative recombination inherent to centers of different nature. A possible
mechanism of observed transformation is discussed.
