Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014, том 17
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing
Інший ID:
PACS 71.20.Nr, 78.40.Fy
Посилання:
Variation of optical parameters of multilayer structures
with thin silicon layers at laser annealing / O.B. Okhrimenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 2. — С. 200-204. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.
Підтримка:
The author is indebted to Dr. Sci. Prof. V.P. Kladko and
Dr. Sci. V.V. Strelchuk for their interest in this work and
valuable discussions.
Дата:
2014
Переглядів:
800
Завантажень:
526
Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing
Анотація:
The experimental data on Raman scattering (RS) and optical absorption in
structures with thin silicon layers on various substrates, as well as in multilayer
quartz/Si/SiO₂, SiC/Si/SiO₂ and glass/Si₃N₄/Si/SiO₂ structures, are summarized. It is
shown that laser annealing on the above structures leads to changes in spectra of RS and
optical transmission that can be explained within the critical action model. The value of
critical action of laser radiation is determined for the structures studied.
