Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Dislocation emission caused by different types of nanoscale deformation defects in CdTe
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014, том 17
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Dislocation emission caused by different types of nanoscale deformation defects in CdTe
Інший ID:
PACS 61.72.Ji, 61.72.Lk, 78.55.Et
Посилання:
Dislocation emission caused by different types
of nanoscale deformation defects in CdTe / V.N. Babentsov, V.A. Boyko, S.G. Gasan-zade, G.A. Shepelskii, S.V. Stariy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 1. — С. 29-33. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
Дата:
2014
Переглядів:
941
Завантажень:
399
Анотація:
Dislocation-related defects induced by dislocation motion in p-CdTe were
studied. Generation of “fresh” dislocations from the indented point of the CdTe (100),
(110), and (111) surfaces at room temperatures was visualized by chemical etching and
low temperature photoluminescence in a mapping regime. The crystallographic
orientation of the dislocation rosettes of macroscopic plastic deformation lines was
analyzed on the (100), (110), and (111) surfaces.
