SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, том 7
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, № 1
→
Переглянути статтю

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers

Boltovets, N.S. ; Ivanov, V.N. ; Konakova, R.V. ; Kudryk, Ya.Ya. ; Milenin, V.V. ; Lytvyn, O.S. ; Lytvyn, P.M. ; Vlaskina, S.I. ; Agueev, O.A. ; Svetlichny, A.I. ; Soloviev, S.I. ; Sudarshan, T.S.

Інший ID: PACS: 85.30.Kk

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118115

Посилання: SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers / N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, S.I. Vlaskina, O.A. Agueev, A.I. Svetlichny, S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 60-62. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Дата: 2004

Завантажень: 320

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers

Анотація:

Electrical and structural properties of Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers on n-6H-, 15R- and 4H-SiC (with epi-layer) were studied. High thermal stability of ideality factors and barrier heights in the formed contacts was explained by the thermal stability of an interface TiBx(ZrBx)-SiC after rapid thermal annealing at 800°N for 60 s.

Показати повний запис статті