Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
The simple approach to determination of active diffused phosphorus density in silicon
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, том 7
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
The simple approach to determination of active diffused phosphorus density in silicon
Інший ID:
PACS: 61.72.Tt, 66.30.Lw
Посилання:
The simple approach to determination of active diffused phosphorus density in silicon / M. Sasani // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 22-25. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.
Дата:
2004
Переглядів:
674
Завантажень:
281
Анотація:
The diffusion of Phosphorus in silicon using a POCl₃ source has been considered. In the base of Fair-Tsai model of P-diffusion an empirical equation for calculation of active diffused phosphorus density (Qel), is proposed. In this equation, a relationship between (Qel), diffusion time, temperature and junction depth of P-diffused layer (Xj), is presented. The value of sheet resistance (Rs), which is taken from theoretical determination at 900°C, has a good agreement with experimental result.
