Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Nucleation, growth and transformation of microdefects in FZ-Si
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, том 7
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Nucleation, growth and transformation of microdefects in FZ-Si
Інший ID:
PACS: 61.72.Bb; 61.72.Ji; 61.72.Yx
Посилання:
Nucleation, growth and transformation of microdefects in FZ-Si / V.I. Talanin, I.E. Talanin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 16-21. — Бібліогр.: 50 назв. — англ.
Дата:
2004
Переглядів:
739
Завантажень:
395
Анотація:
The physical model of microdefects formation in dislocation-free FZ-Si single crystals is offered. Experimental results and theoretical data allows to approve that recombination between vacancy and self-interstitials at high temperatures is hampered by an entropy barrier. Established is that the process of microdefects formation in silicon proceeds simultaneously by two independent mechanisms: the vacancy and interstitial ones.
